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137-2866-5346經過專業人員從鍍膜工藝參數設定、硅片制絨面反射率及石墨舟狀態3 個方面對管式PECVD 鍍膜均勻性進行了研究，結果表明：
1) 鍍膜過程中適當降低腔體外層壓力，增加內層氮硅比，降低射頻功率對片內或片間均勻性有所改善。實驗過程中，在保證良率的情況下，選擇外層壓力為1700 mTorr、內層氮硅比為4.487、射頻功率為7600 W 時，調節DLV 優化石墨舟各區溫度且定期清理腔體內部碎片可改善鍍膜均勻性。
2) 在一定范圍內，制絨面反射率增加，膜厚增大，片內均勻性更優。
3) 新石墨舟鍍膜均勻性明顯優于舊石墨舟；在新石墨舟使用周期內，運行30 次時片間均勻性達到最優。
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